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高压MOS管的工作原理

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  • 发布时间:2021-04-01 09:40
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【概要描述】高压MOS管工作原理就是在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大。根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。高压MOS管从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和,将这种状态称为夹断,这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

高压MOS管的工作原理

【概要描述】高压MOS管工作原理就是在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大。根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。高压MOS管从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和,将这种状态称为夹断,这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

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高压MOS的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上,噪声低、热稳定性好、防辐射能力强、耗电省,集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。高压MOS工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID“,更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 

 

高压MOS的工作原理:

高压MOS工作原理就是在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大。根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。高压MOS从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和,将这种状态称为夹断,这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

 

高压MOS在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动,但是此时高压MOS管漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近。由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层,因此漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGSoff),此时高压MOS过渡层大致成为覆盖全区域的状态,而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。 

 

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