搜索
搜索
新闻资讯
新闻资讯
您所在的當前位置:
首頁
/
新聞資訊
05-19

中低压MOS管的工作原理

中低压MOS管工作原理用一句话说,就是"漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID".更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,中低压MOS管是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩
04-02

高压MOS管发热的解决方法

高压MOS管在过较大的电流时会有发热现象,电子元器件对温度比较灵敏,长期工作在高温状态下,会缩短使用寿命,所以要加速热量的散发。针对MOS管的发热情况,要准确判断是否是这些原因造成,重要的是进行正确的测试,高压MOS管是否工作正常,PWM控制器输出端是否正常,包括脉冲的幅度和占空比是否正常,等等。
04-01

高压MOS管的工作原理

高压MOS管工作原理就是在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大。根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。高压MOS管从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和,将这种状态称为夹断,这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
03-22

多年来更力行回馈社会赞助公益,本着取之于当地用之于当地的理念,积极参与社会责任的承诺永不改变。

ATC对世界的责作使两家企业获得成功,更要为客户,员工,合作伙伴创造价值,以及为后代维护良好的生活环境,公司经营人员管理,供应商关系以及产品设计之外,多年来更力行回馈社会赞助公益,本着取之于当地用之于当地的理念,积极参与社会责任的承诺永不改变。
上一页
1
2
3

 ATC半導體股份有限公司

手機:0988390580

郵箱:sales1@atcsemi.com 
sales2@atcsemi.com

版權所有©2020 ATC半導體股份有限公司 粤ICP备20041305号

深圳市伯乐马电子有限公司